产品型号:NTS2101PT1G
商品目录:MOS(场效应管)
连续漏极电流(Id)(25°C时):1.4A
漏源电压(Vdss):8V
栅源极阈值电压(最大值):700mV@250uA
漏源导通电阻(最大值):100mΩ@1A,4.5V
类型:P沟道
功率耗散(最大值):290mW
NTS2101PT1G特征:
领先的沟槽技术,低RDS(on)延长电池寿命
低压门驱动额定电压为-1.8V
SC-70表面贴装,适用于占地面积小(2x2毫米)
可提供无铅包装
NTS2101PT1G应用程序:
高侧负荷开关
充电电路
单电池应用,如手机、数码相机、pda等。
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