5伏兼容I/O端口位的基本结构
这里仅看输出模式，也就是下方，其实推挽和开漏的区别在于P-MOS管开启的区别
推挽 PP
推挽，字面意思：前牵后推、一推一拉
此时，P-MOS和N-MOS都是开启的，
ODR = 1
当ODR（Output data register）是高电平，则P-MOS，在I/O输出为高电平导通，N-MOS管截止，那么输出就是 VDD 高电平（3.3v）
ODR = 0
同理，当ODR（Output data register）是低电平，则P-MOS，截止，N-MOS管导通，那么输出就是 VSS 低电平（０v）
在切换的过程中，一个负责灌电流，一个拉电流，＂一推一拉＂，负载和开关速度比普通方式要＂快＂。
- 输入电平 0~3.3V
- 高速切换开关状态。
开漏 OD
- 上方 P-MOS管不工作，就是没有灌电流的存在 ; 只能控制低电平输出
当 I/O高电平时，两个 MOS 管都不工作 会呈现 高阻态(也就是电平依靠外电路来实现)，此时需要加入上拉电阻（最好是外部接上拉电阻）
那为什么要这样呢？
当你需要的输出电压大于内置的（3.3V)，你就需要外加上拉电阻，实现高电压输出。
例如:I2C、SMBUS通信的“线与”中， 输出电位要高于 3.3V(外加上拉电阻) ->高阻态，就需要输出更高电平。
端口位配置表
具体参考：STM32库开发实战指南：基于F4(6.2章节)
P.S. 微信读书中有
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