PN 结

半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质以及某些材料。

P 型半导体：多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
N 型半导体：多数载流子为电子，少数载流子为空穴。

将 P 型半导体和 N 型半导体制作在同一块硅片上，他们的交界面就形成 PN 结。如下图所示：

PN 结

此时，因为载流子浓度的差异：
（在 PN 结交界处附近）
P 型半导体中的空穴向 N 型半导体移动。
N 型半导体中的电子向 P 型半导体移动。
（如上图所示）
这种因为载流子浓度差异的移动称为 扩散运动。

在扩散运动进行了一段时间后，PN结附近的载流子浓度减少，P 型半导体出现负离子区，N 型出现正离子区，称为空间电荷区，又称为耗尽层，如下图所示：

空间电荷区

空间电荷区存在内电场，方向由 N 型半导体指向 P 型，电场作用：
空穴向 P 型半导体移动。
电子向 N 型半导体移动。
（方向与扩散运动相反）
这种在电场力作用下的载流子运动称为漂移运动

不施加外电场时，扩散运动和漂移运动会达到动态平衡。

值得一提的是，在 PN 结中，扩散运动是多数载流子的活动，而漂移运动是少数载流子的运动。

当外加电场时：

1.若 PN 结外加正向电压（P 接正极 N 接负极），此时外加电场方向和扩散运动（多数载流子）方向相同，耗尽层减小，有持续的电流产生，称为 PN 结导通状态，如下图所示：

正向电压

2.若 PN 结外加反向电压（P 接负极 N 接正极），此时外加电场方向和漂移运动（少数载流子）方向相同，耗尽层增加，电流极小可忽略不计，称为 PN 结截止状态，如下图所示：

反向电压

上述特性称为 PN 结的 单向导电性。

（文中图片来自《模拟电子技术基础》）