芯片型号：FD9020AS
拓扑结构：SSR
封装形式：SOP7
适配器：180Vac-265Vac：11W 85Vac-265Vac：9W
开放版：180Vac-265Vac13W 85Vac-265Vac：10W
保护功能：过流保护 VDD 过压保护 VDD 欠压保护
内置开关RON：7.5R
待机功耗：<60mW
开关频率（KHZ）：65
封装形式：SOP7
FD9020AS是一款低功耗的电流模式PWM离线式控制芯片，内置高压开关MOS管。采用自适应多模式工作方式，根据负载情况，自动切换到 Burst 模式，PFM 模式，或者 PWM 模式，满足系统的低待机功耗，高转换效率的要求。内部集成多种保护功能，如过流保护、过载保护、 VDD过压保护和 VDD 欠压保护等多种保护。
从1930年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在1940到1950年代被系统的研究。今天，尽管元素中期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。
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