FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：10VVgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：210pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：50V功率耗散（最大值）：1.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：109 毫欧 @ 1.5A，10V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装供应商器件
封装：SuperSOT-3
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
了解更多 请点击：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_5902.html
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